|
p-n-p транзистор
|
|
| Гость | Дата: Суббота, 16.06.2012, 21:37 | Сообщение # 1 |
|
Группа: Гости
| Для полного открытия (насыщения) транзистора типа р-п-р к базе необходимо приложить отрицательное (по отношению к эмиттеру) напряжение, а для насыщения транзистора типа п-р-п к базе необходимо приложить положительное (относительно эмиттера) напряжение 0,3—0,8 В. Так вот, при режиме АН для нпн это выглядит как фэ+0,3—0,8≤фб, каково это соотношение будет для пнп транзистора?
|
| |
| |
| Artur | Дата: Суббота, 16.06.2012, 22:08 | Сообщение # 2 |
|
Группа: Удаленные
| тебе зачем? 
0,3—0,8>=фб
|
| |
| |
| Гость | Дата: Суббота, 16.06.2012, 22:38 | Сообщение # 3 |
|
Группа: Гости
| РГЗ по электронике) Уверен? Не подскажешь, где это прочитать можно?
|
| |
| |
| Artur | Дата: Суббота, 16.06.2012, 23:49 | Сообщение # 4 |
|
Группа: Удаленные
| ну и вопросы, где почитать хз, спроси на форуме паяльников http://forum.cxem.net/ - в разделе для начинающих
|
| |
| |
